SBD），也称肖特基势垒二极管，与PN结二极管比较具有更低的正向压降和更快的开关速度。
这是由于肖特基二极管采用了金属和半导体的触摸办法，构成了一个十分薄的势垒，在正向偏置时能够敏捷导通，而且在反向偏置时只要十分小的反向漏电流。
肖特基二极管除了应用于高频整流、开关电源、太阳能电池等场合，一起也可当作放大器、混频器和检波器等器材的要害元件。
肖特基二极管的根底原理是：在金属（例如铅）与半导体（N型硅片）的触摸面上，用已构成的肖特基来阻挠反向电压。
肖特基的耐压程度比较低，一般在 40 - 150V左右，其专长是：开关速度很快，反向恢复时间特别地短。因而，能制造开关二极管和低压大。
肖特基二极管的金属层除钨资料外，还能够运用金、钼、镍、钛等资料。其半导体资料采纳运用硅或砷化镓，这种器材是由大都载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少量载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少量载流子的存储效应甚微，所以其频率响应仅为RC时间常数约束，因而，它是高频和快速开关的抱负器材。其作业频率可达100GHz。而且，MIS（金属-绝缘体-半导体）肖特基二极管可拿来制造太阳能电池或发光二极管（光的频率更高）。
由于肖特基二极管的正导游通电压很低，仅为 0.3V 左右，因而，肖特基二极管常用在 IO 口的钳位维护电路中，如上图中①部分所示的电路。
一起肖特基二极管在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以避免三极管因进入饱和状态而下降开关速度，如上图中的二极管 D1 。
总结起来便是，肖特基势垒二极管反向恢复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.3V左右，而整流电流却可到达几千安培。
用磷化镓、磷砷化镓资料制造成，体积小，正向驱动发光。作业电压低，作业电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 8）
的检测办法 /
正向传导： P+网格的规划使得耗尽 V
——成长、表征、器材和 /
原理以及结构作业原理是什么 /
一说到低功耗、大电流、超高速的半导体器材，许多电子爱好者和电子工程师首要想到的是
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上位机经过Modbus转Profinet网关与变频器通讯应用在卷材机上事例