DTMOSVI系列中的两款明星产品——TK042N65Z5和TK095N65Z5，选用了先进的TO-247封装技能，在650V的作业电压下展示了杰出的N沟道功率MOSFET功能。这两款产品不只承继了东芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（H
据东芝介绍，新推出的DTMOSVI（HSD）工艺有用改进了反向恢复特性，这在某种程度上预示着在开关电源的使用中，新器材能更快速地完结反向电流的切换，来提升了电源体系的全体功率。一起，在高温环境下，新器材的漏极截止电流更低，这有助于削减电源体系的热损耗，进步体系的安稳性和牢靠性。
值得一提的是，东芝计划在未来进一步扩展DTMOSVI（HSD）的产品线，以满意更多不同使用场景的需求。新器材将选用包含TO-220和TO-220SIS通孔型封装，以及TOLL和DFN 8×8表贴型封装在内的多种封装方式，为客户供给更多的挑选空间。
业界专家剖析以为，东芝此次推出的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET，不只在技能上取得了重要打破，还活跃做出呼应了当时商场对高效、安稳电源体系的火急需求。这一立异产品的推出，将进一步稳固东芝在功率半导体商场的领头羊，并推进整个职业的技能进步。
跟着数据中心和光伏商场的加快速度进行开展，对高效、牢靠的电源体系的需求日渐增加。东芝此次推出的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET，无疑为这些范畴供给了愈加优异的解决方案。未来，咱们等待东芝在功率半导体范畴持续发挥立异引领效果，为职业开展注入更多生机。
助力进步电源功率 /
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