11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)(IV2Q171R0D7Z)经过了车规级可靠性轿车、光储充等范畴有广泛需求，现已经过多家闻名客户评价测验，逐渐批量交给运用。
IV2Q171R0D7Z是瞻芯电子的第二代碳化硅(SiC) MOSFET中1700V渠道的产品，驱动电压(Vgs)为15~18V，室温下导通电流为6.3A。该产品选用车规级TO263-7贴片封装，比照插件封装，体积更小，阻抗更低，装置更简洁，且有开尔文栅极引脚。因而该产品很合适高电压、小电流、低损耗的运用场景。
现在，瞻芯电子开发的1700V碳化硅(SiC) MOSFET系列新产品，包含了3种导通电阻：1Ω、10Ω、50Ω，一起有2种封装形状：TO263-7与TO247-3，还有无封装的裸芯片产品，如下表：
凭仗1700V碳化硅(SiC) MOSFET耐高压的才干，瞻芯电子选用IV2Q171R0D7Z开发了一款高达1000V宽幅电压输入的反激电源计划，上限功率200W，功率高达88.5%，待机损耗仅0.3W。
该反激电源选用小功率的DC-DC 的拓扑，大多数都用在300-1000V高压直流输入，改换为24V低压输出。本计划比照选用硅(Si)器材的传统辅源，损耗显着下降，在输出功率100W以下或短时间作业条件下，无须电扇冷却。
原文标题：瞻芯电子推出1700V SiC MOSFET，助力高效辅佐电源
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产品，这一些产品不只经过了严厉的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具有业界抢先的低损耗水平。这些
中的损耗比照 /
SBD的优势 /
中，因为母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，不管那种拓扑不能脱离中心的功率器材，即1500V~
系列功率VDMOS新品介绍 /
率和小型化 /
率和小型化 /
首要运用新能源轿车电池电压检测和绝缘监测。该运用场景中，运用碳化硅计划能够有用提高光耦继电器全体功能，使之响应速度更快、体积缩小、寿数延伸
产品 /
动力范畴。这类器材支撑如今和未来的轿车动力体系，而且正在敏捷取 代老旧的硅
完成“万物电气化” /
的栅极驱动的办法 /
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