，也是简单、的开关稳压器类型之一。当在开关模式电源配置中使用时，降压开关稳压器使用串联
MOSFET（是绝缘栅双极晶体管或IGBT）作为其主要开关器件，如下所示。
我们能够正常的看到，降压转换器的基本电路配置是串联晶体管开关TR 1和相关的驱动电路（使输出电压尽可能接近所需水平）、二极管D 1、电感器L
1和平滑电容器C 1。降压转换器有两种工作模式，具体取决于开关晶体管TR 1是“导通”还是“截止”。
当晶体管偏置为“ON”（开关闭合）时，二极管D 1变为反向偏置，输入电压V IN导致电流通过电感器流至输出端连接的负载，为电容器C 1充电。
当变化的电流流过电感器线圈时，根据法拉第定律，它会产生反电动势，该反电动势与电流流动相反，直到达到稳定状态，在电感器周围产生磁场L 1。只要TR
当晶体管TR 1经过控制电路“关闭”（开关打开）时，输入电压立即与发射极电路断开，导致电感器周围的磁场崩溃，从而在电感器上产生反向电压。
该反向电压导致二极管变得正向偏置，因此电感器磁场中存储的能量迫使电流继续以相同方向流过负载，并通过二极管返回。
1将其存储的能量返回到负载，充当电源并提供电流，直到所有电感器的能量返回到电路或直到晶体管开关再次闭合（以先到者为准）。同时电容器也放电，为负载提供电流。电感器和电容器的组合形成了
因此，当晶体管固态开关闭合时，电流由电源提供，而当晶体管开关打开时，电流由电感器提供。请注意，流经电感器的电流始终沿相同方向，直接来自电源或通过二极管，但显然在开关周期内的不同时间。
由于晶体管开关连续闭合和打开，因此平均输出电压值将与占空比D相关，D被定义为晶体管开关在一个完整开关周期期间的导通时间。
如果V IN是电源电压，并且晶体管开关的“ON”和“OFF”时间定义为：t ON和t OFF，则输出电压V OUT为：
因此，占空比越大，开关电源的平均直流输出电压就越高。由此我们还能够准确的看出，由于占空比D永远无法达到 1（单位）
通过改变占空比来实现电压调节，开关速度高达 200kHz，能够正常的使用更小的元件，从而大大减小开关模式电源的尺寸和重量。
布置能够给大家提供非常好的电感电流滤波。理想情况下，降压转换器应在连续开关模式下运行，以便电感器电流永远都不可能降至零。若使用理想的组件，即“导通”状态下的压降和开关损耗为零，理想的降压转换器的效率可高达
除了用于开关模式电源基本设计的降压开关稳压器之外，基本开关稳压器还有另一种操作方式，即升压稳压器，称为升压转换器。
电感（ESL）的电容， 以便在负载突变时抑制输出偏差。能效设计作为控制
电感（ESL）的电容， 以便在负载突变时抑制输出偏差。能效设计作为控制
范围在400至800之间，这也是更低THD和IMD的一个原因。 并联更小
FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指
电路图 /
电路 /
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