――全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion（NASDAQ：SPSN）今日宣布计划开发下一代数据存储产品系列，MirrorBit ORNAND架构。基于Spansion专有电荷捕获技术的新型MirrorBit ORNAND2架构将在连接于NAND存储器阵列中采用类似SONOS的45nm存储单元，具有快速写入和高封装密度的特点－－将NAND技术的性能和成本优势与300mm晶圆的成本结构优势发挥到最佳。
基于新型架构的产品将主要面向集成闪存市场中的数据存储应用领域；在这种市场中，客户注重的是差异化、高价值的解决方案。新的架构将通过45nm系列解决方案扩大现有MirrorBit ORNAND产品系列；与Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND产品相比，不但能将掩膜(mask layer)层的大小减少25%，其品质也远胜于浮动门NAND解决方案。MirrorBit ORNAND2产品预计将于2009年初投放市场。
新的架构基于Spansion专有MirrorBit技术――目前，采用MirrorBit技术的解决方案总销售额达20亿美元，占整个NOR闪存市场的22%。通过采用通用的技术平台和利用40nm以下的MirrorBit技术具有的可扩展性优势，在同一晶圆厂中能轻松实现MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2产品的高效生产。
Spansion研发事业部执行副总裁Lou Parrillo博士表示：“Spansion是唯一一家成功实现电荷捕获存储技术大量应用的公司。凭借我们专有的先进的MirrorBit技术、300mm晶圆生产能力以及预计与NAND相当的性能，我们也可以逐步扩大已有产品组合，并加快MirrorBit技术的发展步伐。”
Spansion正利用在其专有MirrorBit技术应用的过程中所积累的经验来为MirrorBit ORNAND2技术开发一种专有的类似SONOS的存储单元。不同于此前业界生产商试图开发商用化SONOS存储单元而未获成功的情况，Spansion相信，通过架构性的革新和已获证明的生产技术相结合的独特方法，一定能实现最佳性能并加快投产的速度。
目标分析（Objective Analysis）总监Jim Handy表示：“随技术在伸缩曲线上的日渐走低，传统的浮动门闪存在45nm及以下工艺中正逐渐失去竞争力。许多公司都提出将电荷捕获技术作为一种处理方法。Spansion的电荷捕获技术投产已达四年之久，使公司相较竞争对象而言占据先机。而Spansion基于类似于SONOS的存储单元结构的下一代MirrorBit ORNAND2架构必将进一步发挥这种一马当先的优势，扩大公司在目前由NAND独霸天下的所有的领域中的市场机会。”
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同步降压稳压器是一种常用的电源 ，随着各类应用要求的逐步的提升，行业越来越趋向于追求高能效、高可靠性、高功率密度的设计的具体方案。比如 应用于无线局域网的负载点（PoL）电源，输入电压越来越宽，工作频率、功率密度也慢慢变得高，随着技术的发展，甚至可将整个电源系统集成在单个封装中。 同步降压稳压器其电路结构本身格外的简单， 但工程师要完成高效可靠的同步降压稳压器的设计，还是有着不少的技术挑战，必须对稳压器电路的各种工作状态很有深入、透彻的了解，同时还需完成大量的计算工作。本文将介绍快速设计出高效可靠的同步降压稳压器的技术， 以及安森美半导体的 Power Supply WebDesigner在线设计工具，幇助工程师解决所面临的技术挑战。
梁平区有我市最大的半导体器件封装企业——重庆平伟实业股份有限公司，它也是国内最大的功率半导体器件研发、生产企业之一。不到10年时间发展起来的这家电子产业领军企业，得益于创新驱动发展。近日，在市委宣传部、市科委组织的“创新驱动区县行”采访中，重庆晨报记者来到梁平区，了解该区的创新发展之路。平伟实业技术中心主任王兴龙说，从主城来梁平区以前，平伟实业是一家普通的电子二极管生产企业，没有一项发明专利。到梁平区以后，经过近8年发展，从基本的功率半导体器件封装测试拓展到上游芯片设计和集成电路模块的封测及应用，慢慢的变成了国家火炬计划重点高新技术企业，授权专利155件，其中获得美国发明专利1件，已成为华为、联想、三星、富士康、中兴等世界500强企业
计算机芯片的历史是是一段激动人心的微型化的历史。 众所周知，数字世界催生了一种趋势，规模越小越好。那么，为什么在地球上有些人想逆转航向，并使用大芯片呢？当然，我们没特别充分的理由在一个iPad中用一个iPad大小的芯片，不过这样的大芯片可能被证明是具有更具体的用途，如AI和物理世界的模拟。 至少，这就是世界上最大的计算机芯片制造商Cerebras所希望的。 Cerebras晶圆级引擎无论以何种方式来进行切割都非常庞大。该芯片的是8.5英寸，并装有1.2万亿个晶体管。而排名第二大的芯片是NVIDIA的GPU A100，只有一英寸，晶体管数量也只有540亿个。前者是新的芯片类型，基本上未经测试，到目前为止，他们推
级芯片大有作为 /
·基于ARM926EJ-S技术 ·内部数据带宽达41.6 Gbps ·结合人机接口和联网功能 爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) (美国纳斯达克交易代号：ATML) 现已为SAM9 系列产品增添最新型号。AT91SAM9263 内嵌了一个性能达200 MIPS的 ARM926EJ-STM 微控制器，解决了传统ARM9TM 微控制器在数据密集的图形界面应用 (如联网式医疗监控设备和GPS导航系统）中所遇到的瓶颈问题。AT91SAM9263具有27个DMA通道，包括爱特梅尔的18 通道外设DMA控制器 (PDC)；一个9层的总线阵列；以及两个用于数据和指令紧密耦合存储器 (TCM) 的附加总线，以提升CP
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从英特尔相关人士处获悉，英特尔斥资25亿美元投资的大连工厂，将于8月1日奠基。该工厂将于2010年引进65纳米技术。 大连厂8月1日奠基 据该的人偷偷表示，英特尔大连厂将于8月1日奠基，这在某种程度上预示着该工厂8月开始步入正式运营阶段。 在今年3月26日，英特尔CEO保罗-欧德宁在人民大会堂宣布，投资25亿美元在大连建立亚洲首个300毫米晶圆的工厂。根据英特尔的计划，该工厂将于今年年底动工，预计将在2010年上半年投产。项目建设期为5年，建成投产后，该工厂每月将能生产52000片12寸90纳米集成电路芯片。 6月28日，该工厂在大连已经通过国家相关部门验收。英特尔公司中国区发言人张怡璠表示，大连芯片工厂的验收与封关运行，
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top7企业资本支出约120亿美元 长电、通富上榜 /
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