的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容改变 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改变与环境和温度的肯定改变之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测验电流）。锗检波
在规则的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管、硅堆在规则的运用条件下，在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流（均匀值），硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电
时给定的电流 IF（AV）---正向均匀电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、保持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与榜首基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出均匀电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管操控极触发电流 IGD---晶闸管操控极不触发电流 IGFM---操控极正向峰值电流 IR（AV）---反向均匀电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规则值时，所经过的电流；硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复均匀电流 IDR---晶闸管断态均匀重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---安稳电压电流（反向测验电流）。测验反向电
时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规则条件下，能接受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管答应经过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---作业电流 Is---稳流二极管安稳电流 f---频率 n---电容改变指数；电容比 Q---优值（质量要素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---接受脉冲焚毁功率 PFT（AV）---正导游通均匀耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正导游通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极均匀功率 PGM---门极峰值功率 PC---操控极均匀功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能接受的上限功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大接受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---接连输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定运用条件下，稳压二极管答应接受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正导游通时，电流随电压指数的添加，出现显着的非线性特性。在某一正向电压下，电压添加微小量△V，正向电流相应添加△I，则△V/△I称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境和温度 Tc---壳温 td---延迟真心 tf---下降真心 tfr---正向恢复真心 tg---电路换向关断真心 tgt---门极操控极注册真心 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---注册真心 toff---关断真心 tr---上升真心 trr---反向恢复真心 ts---存储真心 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或功率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与榜首基极反向电压 VEB---饱满压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向均匀电压 Vo---沟通输入电压 VOM---最大输出均匀电压 Vop---作业电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向作业电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测验电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向作业峰值电压 V v---谷点电压 Vz---安稳电压 △Vz---稳压规模电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管安稳电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容， 表明在二极管两头加规则偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容改变 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改变与环境和温度的肯定改变之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测验电流）。锗检波二极管在规则的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管、硅堆在规则的运用条件下，在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流（均匀值），硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电
时给定的电流 IF（AV）---正向均匀电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、保持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与榜首基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出均匀电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管操控极触发电流 IGD---晶闸管操控极不触发电流 IGFM---操控极正向峰值电流 IR（AV）---反向均匀电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规则值时，所经过的电流；硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复均匀电流 IDR---晶闸管断态均匀重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---安稳电压电流（反向测验电流）。测验反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规则条件下，能接受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管答应经过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---作业电流 Is---稳流二极管安稳电流 f---频率 n---电容改变指数；电容比 Q---优值（质量要素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率