称为阳极和阴极。根据这两个端子之间的电位差，二极管的操作可大致分为两种方式：
不同类型的二极管有不同的电压要求。对于硅二极管，正向电压为0.7V，对于锗二极管，正向电压为0.3V。通常，在硅二极管中，二极管一端的暗带表示阴极端子，另一端是阳极。
二极管的主要应用之一是整流，即将交流电转换为直流电。由于二极管只允许电流在一个方向上流动，而阻止电流在另一个方向上流动，因此二极管用于反极性保护器和瞬态保护器应用。
它是一种具有不成比例特性的小型设备，其应用主要涉及高频和极低电流应用，例如收音机和电视等。为保护二极管免受污染，它被玻璃包裹，因此也被称为玻璃钝化二极管。这种类型的流行二极管之一是 1N4148。
外观方面，与功率二极管相比，信号二极管非常小。为了指示阴极端子，一个边缘用黑色或红色标记。对于高频应用，小信号二极管的性能非常有效。
相对于其他功能，信号二极管通常具有较小的载流能力和功耗。通常，它们分别在150mA和500mW的范围内。
小信号二极管可以由硅或锗型半导体材料制造成，但二极管的特性因掺杂材料而异。
小信号二极管用于通用二极管应用、高速开关、和许多其他应用。小信号二极管的一些重要特性是：
峰值反向电压 （V公关） – 这是二极管击穿之前可以施加到二极管的最大反向电压。
这些二极管具有较大的PN结层。因此，它们通常用于整流，即将交流电转换为直流电。大PN结还增加了二极管的正向载流能力和反向阻断电压。大信号二极管不适合高频应用。
这些二极管的主要应用是电源（整流器、转换器逆变器、电池充电设备等）。在这些二极管中，正向电阻的值为几欧姆，反向阻断电阻的值为兆欧姆。
它是一种在“齐纳击穿”原理下工作的无源元件。它由克拉伦斯齐纳于1934年首次生产，在正向偏置条件下类似于普通二极管，即它允许电流流动。
但在反向偏置条件下，二极管仅在施加的电压达到击穿电压时导通，称为齐纳击穿。它旨在防止其他半导体器件产生瞬时电压脉冲。它充当电压调节器。
这些二极管将电能转换为光能。1968年开始首次生产。它经历电致发光过程，其中空穴和电子重新结合以正向偏置条件下以光的形式产生能量。
在早期，LED非常昂贵，并且仅用于特殊应用。但多年来，LED的成本已经一下子就下降。这一点以及它们非常节能的事实，使LED成为家庭，办公室，街道（用于街道照明以及交通信号灯），汽车，手机的主要照明源。
它也被称为电流调节二极管或限流二极管或二极管连接的晶体管。二极管的功能是调节特定电流下的电压。
它用作两端电流限制器。在这种情况下，JFET充当限流器以实现高输出阻抗。恒流二极管符号如下所示。
在这种类型的二极管中，结是通过半导体材料与金属接触而形成的。因此，正向压降降至最低。半导体材料是N型硅，充当阳极和金属，如铬，铂，钨等。充当阴极。
由于金属结，这些二极管具有高导流能力，因此减少了开关时间。因此，肖特基二极管在开关应用中有更大的用途。主要是因为金属-半导体结，压降低，这反过来又提高了二极管性能并降低了功率损耗。因此，这些用于高频整流器应用。肖特基二极管的符号如下所示。
它是最早发明的半导体器件之一。肖克利二极管有四层。它也被称为PNPN二极管。它等于没有栅极端子的晶闸管，这在某种程度上预示着栅极端子是断开的。由于没有触发输入，二极管可以导通的唯一方法是提供正向电压。
一旦它打开“，它就会保持打开状态，一旦它关闭”它就会保持关闭状态。二极管有两种工作状态导通和非导通。在不导电状态下，二极管以较低的电压导通。
它也被称为弹断二极管或电荷存储二极管。这些是特殊类型的二极管，它存储来自正脉冲的电荷并用于正弦信号的负脉冲。电流脉冲的上升时间等于快照时间。由于这种现象，它具有速度恢复脉冲。
这些二极管的应用是高阶乘法器和脉冲整形电路。这些二极管的截止频率很高，接近千兆赫兹量级。
作为乘法器，该二极管的截止频率范围为200至300 GHz。在 10 GHz 范围内执行的操作中，这些二极管起着至关重要的作用。对于低阶乘法器，效率很高。该二极管的符号如下所示。
它用作高速开关，开关速度约为几纳秒。由于隧穿效应，它在微波频率区域有很快的操作。它是一种双端装置，其中掺杂剂浓度过高。
瞬态响应受到结电容和杂散布线电容的限制。大多数都用在微波振荡器和放大器。它充当最负电导的设备。隧道二极管能够直接进行机械和电气调谐。隧道二极管的符号如下图所示。
这些也被称为变电容二极管。它的作用类似于可变电容器。操作主要仅在反向偏置状态下执行。这些二极管非常有名，因为它能够在恒压流下改变电路内的电容范围。
它们能够改变电容至高值。在变容二极管中，我们大家可以通过改变反向偏置电压来减少或增加耗尽层。这些二极管有许多应用，可用作手机的压控振荡器、卫星预滤波器等。变容二极管的符号如下。
类似于LED的有源区域由p-n结形成。电激光二极管是 P-I-N 二极管，其中有源区域位于固有区域。用于光纤通信，条形码阅读器，激光指示器，CD / DVD /蓝光读取和记录，激光打印。
量子级联激光器：这些是异质结激光器，可以在相对较长的波长下进行激光作用。
分离约束异质结构激光器：为了补偿量子激光器中的薄层问题，个人会使用单独的约束异质结构激光器。
在半导体器件中，由于状态电压的突然变化，会发生瞬变。它们会损坏设备的输出响应。为客服这样的一个问题，使用了电压抑制二极管。电压抑制二极管的操作类似于齐纳二极管的操作。
这些二极管的工作与p-n结二极管一样正常，但在瞬态电压时其工作会发生明显的变化。在一般的情况下，二极管的阻抗很高。当电路中出现任何瞬态电压时，二极管进入提供低阻抗的雪崩击穿区域。
这是非常自发的，因为雪崩击穿维持的时间以皮秒为单位。瞬态电压抑制二极管将电压箝位到固定电平，其箝位电压大多在最小范围内。
这些在电信领域、医疗、微处理器和信号处理领域都有应用。它对过电压的响应速度比压敏电阻或气体放电管快。
在这些二极管中，金被用作掺杂剂。这些二极管比其他二极管快。在这些二极管中，反向偏置条件下的漏电流也较小。即使在较高的压降下，它也允许二极管在信号频率下工作。在这些二极管中，金有助于少数载流子的更快重组。
它是一种整流二极管，具有低正向压降作为肖特基二极管，具有浪涌解决能力和低反向漏电流作为P – N结二极管。它专为高功率、快速开关和低损耗应用而设计。超级势垒整流器是下一代正向电压低于肖特基二极管的整流器。
在这种类型的二极管中，它在半导体的双材料结处产生热量，半导体从一个端子流向另一个端子。此流动仅在单个方向上完成，与电流流动的方向相同。
这种热量是由于少数电荷载流子的复合产生的电荷而产生的。这大多数都用在冷却和加热应用。这种类型的二极管用作热电冷却的传感器和热机。
这也被称为猫须，它是一种点接触二极管。其操作取决于半导体晶体与点之间的接触压力。
在这种情况下，存在一根金属线，它被压在半导体晶体上。其中，半导体晶体充当阴极，金属线充当阳极。这些二极管本质上已经过时。大多数都用在微波接收器探测器。
这是在雪崩击穿原理下工作的被动元件。它在反向偏置条件下工作。由于反向偏置条件下P-N结产生的电离，它导致大电流。
这些二极管专门设计用于在特定反向电压下击穿，以防止损坏。雪崩二极管的符号如下所示：
噪声产生：它充当天线分析仪桥的射频源，也用作白噪声发生器。用于无线电设备以及
可控硅整流器它由三个端子组成，它们是阳极、阴极和栅极。它几乎等于肖克利二极管。顾名思义，它大多数都用在电路中施加小电压的控制目的。可控硅整流器的符号如下图所示：
正向阻塞模式（关断状态）：在此J1和J3中正向偏置，J2反向偏置。它在击穿电压以下提供高电阻，因此被称为关断状态。
正向导通模式（导通状态）：通过增加阳极和阴极的电压或在栅极施加正脉冲，我们大家可以打开。要关闭唯一的方法是减少流过它的电流。
反向阻断模式（关断状态）：SCR阻断反向电压叫做非对称SCR。 多用于
真空二极管由两个电极组成，它们将充当阳极和阴极。阴极由钨组成，钨沿阳极方向发射电子。电子始终仅从阴极流向阳极。所以，它就像一个开关。
如果阴极涂有氧化物材料，则电子发射能力很高。阳极的尺寸有点长，在某些情况下，它们的表面很粗糙，以降低二极管中产生的温度。二极管仅在一种情况下导通，即阳极相对于阴极端子为正时。该符号如图所示：
N二极管。在PIN二极管中不需要掺杂。将本征材料，即没有电荷载流子的材料插入P和N区域之间，这增加了耗尽层的面积。当我们施加正向偏置电压时，空穴和电子将被推入本征层。在某些时候，由于这种高注入水平，电场也会通过本征材料传导。此字段使载流子从两个区域流动。PIN二极管的符号如下图所示：
在正向方向上，其操作非常相似，但在反向偏置条件下，导线的作用类似于绝缘体。由于该绝缘于极板之间，因此二极管充当电容器。通常，电容器会阻挡直流电流，但交流电流可以高频在电路中流动。因此，这些用于检测高频信号。
它有两个电极，分别是砷化镓和磷化铟。因此，它具有负差分电阻。它也被称为转移电子器件。它产生微波射频信号，因此大多数都用在微波射频设备。它也可以用作放大器。冈恩二极管的符号如下所示：
、对调制信号检波、限幅、钳位、电源电压稳压、防静电及防浪涌等多种功能。
(ON Semiconductor)：安森美品牌归属地为美国，主要生产
的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型，所以其结电容较小，工作频率较高。一般都采用锗材料制成
是单向的阀门它允许电流向一个方向流动，但一般不允许它向相反的方向流动。在
正向特性曲线向左移动，正向压降减小;反向特性曲线向下移动，反向电流增大。
是通过PN结形成的结构，和电阻的模型不同，所以想请教一下，有没有能更好分析的
各种各样的形装．大体分为插件形和贴片形。市场数年前开始贴片成为主流，我公司也拥有充实的贴片形系列。
在正向导通的时候，流过电流的时候会产生压降。正常的情况下，这个压降和正向电流以及温度有关。通常硅
少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是一种理想的高频快速开关器件。 肖特基
，基本功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS
者有啥不一样的区别?谢谢！[此贴子已经被作者于2009-3-10 17:19:59编辑过]
工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制
是利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的
，例如2AP系列等。选用时，应依据电路的具体实际的要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波
BT（厂标型号）系列、FG（部标型号）系列和2EF系列。常用的进口通俗单色发光
BT（厂标型号）系列、FG（部标型号）系列和2EF系列。常用的进口通俗单色发光
，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过，只要在电压和电流上满足整流的要求，一般的
，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过，只要在电压和电流上满足整流的要求，一般的
，有的可用作为整流，有的可用作为检波、限幅、开关等，但不一定都能用作为整流。不过
的耐压能做到较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为没有办法迅速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁
) A原理:它工作在电压反向击穿状态,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而
，基本功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS
，基本功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1--3.5PF之间最好；而TVS
变压器的器身主要由哪几部分所组成？单相桥式整流电路由哪几部分所组成？硅稳压
），是利用pn结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的
的外形基本相似。当壳体上的型号标记清楚时，可根据型号加以鉴别。当其型号标志脱落时，可使用万用表电阻挡很准确地将稳压
主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路中；而在数字电路中则常被用于电平转移；在过电压电路中用于保护作用。硅稳压
我现在有一个48V的直流接触器，为保护电路中元器件，要在其线圈两端反接一个
正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压
，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基
是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流
（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒
的反向压降是1.4V左右，当电源电压10V时，反向压降2.5V左右，反向阻值随所加电压增加而变小，当串联的电阻阻值减小时，反向的压降变化更明显正向压降则在0.7V左右不变 请教下是哪
可分为单向和双向，这两种具体是怎样的呢？单向与双向保护：单向和双向ESD
符号由阳极和阴极端子组成。阳极端子是+ve端子，而阴极端子是-ve端子。它在两个方向上工作，正向偏置和反向