世纪金光表明，本轮资金将大多数都用在置办出产设备，敏捷扩展产线提高产能，以满意民用客户爆发式增加的收购诉求。
值得注意的是，本年7月，总出资35亿元的世纪金光第三代半导体碳化硅芯片项目在上海签约。
据悉，项目估计建造年产22万片6~8英寸碳化硅芯片出产线，分三期完结建造，三期项目悉数达产后可完成年产量约40亿元。项目建成后将助推上下游相关工业的开展，估计可带动上下游工业近千亿产量。
2015年，世纪金光第一款SiC SBD研制成功，开端SiC全工业链工业出产线年，第一款SiC MOSFET器材研制成功；
2017年，取得国家集成电路工业出资基金出资，“企业研制中心”获批“第三代半导体功率器材规划与验证北京市工程实验室”；
2018年，国内首条6英寸SiC器材出产线年，取得“第三代半导体功率器材与验证中试服务渠道”授牌。
现在，“世纪金光”碳化硅6英寸单晶已量产；功率器材和模块制备已掩盖标称电压650-1700V、额定电流5-100A的碳化硅肖特基二极管（SBD），标称电压650-1200V、额定电流20-100A的金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），50-600A的全桥、半桥混合功率模块及全碳化硅功率模块等。
在终端使用方面，世纪金光碳化硅功率器材现已很老练使用于电源PFC、充电桩充电模组、光伏逆变器、特种电源等范畴；根据碳化硅技能的新能源轿车电机驱动体系的技能开发现已取得重要发展。
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