二极管是用半导体资料制造成的一种电子器件，由PN结、外部引线、管壳封装而成，文字符号为VD。二极管有两个电极，由P区引出的电极称为阳极（正极），由N区引出的电极称为阴极（负极）；由于PN结的单导游电性，二极管导通时电流方向是由阳极经过管子内部流向阴极。
二极管的首要原理是运用PN结的单导游电性，其本质是在外加正向电压的效果下，P区中的空穴和N区的电子在不断进行分散运动，两者与PN结处中的正负离子不断进行中和，从而使PN结规模不断变窄，最终导通。
1、依据半导体资料来区分，有两种，分别是锗二极管(Ge管)、硅二极管(Si管)。
2、依据用处来区分有九种，分别是检波二极管、整流二极管、齐纳二极管、开关二极管、阻隔二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
3、依据管芯结构区分有三种，分别是点触摸型二极管、面触摸型二极管平和面型二极管。
Cj---结(极间)电容，表明在二极管两头加规则偏压下，锗检波二极管的总电容
CTV---电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改变与环境和温度的肯定改变之比
IF---正向直流电流(正向测验电流)。锗检波二极管在规则的正向电压VF下，经过极间的电流;硅整流管。硅堆在规则的运用条件下，在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
Io---整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规则值时，所经过的电流;硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流;稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。
Iz---安稳电压电流(反向测验电流)。测验反向电参数时，给定的反向电流
IOM---最大正向(整流)电流。在规则条件下，能接受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流
PZM---最大耗散功率。在给定运用条件下，稳压二极管答应接受的最大功率
RF(r)---正向微分电阻。在正导游通时，电流随电压指数的添加，出现显着的非线性特性。在某一正向电压下，电压添加微小量△V,正向电流相应添加△I,则△V/△I称微分电阻
Cj---结(极间)电容，表明在二极管两头加规则偏压下，锗检波二极管的总电容
CTV---电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改变与环境和温度的肯定改变之比
IF---正向直流电流(正向测验电流)。锗检波二极管在规则的正向电压VF下，经过极间的电流;硅整流管。硅堆在规则的运用条件下，在正弦半波中答应接连经过的最大作业电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下答应经过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，答应经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
Io---整流电流。在特定线路中规则频率和规则电压条件下所经过的作业电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时，给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规则值时，所经过的电流;硅开关二极管两头加反向作业电压VR时所经过的电流;稳压二极管在反向电压下，发生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。
Iz---安稳电压电流(反向测验电流)。测验反向电参数时，给定的反向电流
IOM---最大正向(整流)电流。在规则条件下，能接受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中答应接连经过锗检波二极管的最大作业电流
不同的二极管符号代表着特定的二极管类型。看二极管电路图的时分，怎样去分辩哪些是肖特基二极管，哪些是整流二极管？