当VIN和GND接反的时候，因为二极管D1的存在，使GND没办法进入LDO，无法形成
2、防反接——二极管接在GND端防反接的，二极管还可以接在系统GND和LDO芯片GND之间，如下图所示的D2。
防反接原理：当VIN和GND接反的时候，因为二极管D2的存在，使VIN没办法进入LDO，没办法形成电流回路，保护了LDO。
因为D2的存在，会抬升LDO GND（A点）的电压，A的电压差不多为D2的导通压降。
画出老式PNP架构的LDO，能够准确的看出，A的电压抬升之后，会导致VOUT输出减小，使用D2做防反接，这一点是要考虑进去的。
将二极管换作一个电压源，简单跑一下直流传输特性，能够准确的看出，随着V2（A点电压）的增大，输出VOUT是减小的趋势。
3、输入输出钳位保护在输入和输出之间串一个二极管，用来防止反向电压损坏LDO。 ① LDO正常工作时，VIN大于VOUT，二极管D3截止； ② LDO掉电，出现VOUT下电比VIN下电慢的情况，反向压差可能会损坏LDO，加了D3，输入和输出电压差钳位在二极管压降大小，保护了LDO。 为什么会有这种用法呢？老式架构LDO，内部用PNP三极管，发射极和集电极的反向耐压其实是不高的。
4、降压&防灌电要求不高的场合，输出串一个D4，增加一些压降，达到预期的电压值，同时也能防止VOUT串电到芯片的OUT脚。
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是通过PN结形成的结构，和电阻的模型不同，所以想请教一下，有没有能更好分析的
相当于一只微调电容，只需要改变其两端的反偏直流电压的大小，就可以方便的调节电容量。另外，变容
` 本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 12:51 编辑
的替换问题，很多工程师和采购员都提出这种疑问。那么，这两者之间的替代需要满足什么样的条件呢？一、
保护元器件，PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制
时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源
固定电压，以克服直流分量损耗或干扰引起的电平波动，以此来实现同步信号的分离。一个简单的钳位
采用大截面积结构成，用于吸收高瞬态电流。高压瞬变的大多数来自是静电放电、电快速瞬变和浪涌事件。本说明
具有单向导通的独特特性。基本功能是整流、稳压和检测。此外，还添加了不一样的材料的发光
，击穿是因为耐压值不够高所致，烧毁是因为额定电流小所致。建议替换成耐压值较高，额定电流
的感光峰值波长：520 ；亮电流最大：220UA暗电流最大：0.1UA；现在想改成
PN结电容的大小除了与本身结构尺寸和工艺有关，还与外加电压有关。一般来说，结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的
本帖最后由 xueting1 于 2016-10-19 14:17 编辑 齐纳
），是利用pn结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的
一定的电流范围内，其端电压几乎衡定不变，表现出很好的稳压特牲，因此它大范围的应用于电子
，且稳压值低于电池电压值时，即被反向击穿，使测得的电阻值大为减少。但如果被测
，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。7.最高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，大范围的应用于开关电源、变频器、驱动器等