该档位电路如图1所示，它是在200mv基本表基础上扩展而成的，+2.8v的内部基准电压由由“v+”端(ic1脚)引出，经过电阻r17，r16和rt，向被测二极管vdx提供测试电流，在被测二极管未接入之前，分压电路a，b两点的电压分别为
集成电路7106当前的输八电压为v in=vb=0.275v=275m v 。由于该值超出了基本表电压量程200mv ，所以显示屏读数应为溢出状态(显示 1”)。当被测二极曾vdx接入电路之后， a点电压由2.782v被箝位到二极管的正向压降vf(硅管为
0 .7v左右,锗管为0.3v左右)，而此时集成电路7106的输入电压变为
由此可见，在集成电路输入端，vf被衰减了10倍，这相当于将200mv的基本表扩展到了2v的量程，并且在显示屏上直接显示出被测二极管的正向压降vf。 在此期间，通过被测二极管的测试电流为
显然，二极管档的测试电流比起电阻档至少要大一个数量级，比值基本上可以满足大多数半导体二报管和对其pn结单向导电性的测试判别要求。基准电压vref由集成电路内部基准电压源(+2．8v)经ri8、rl9、rp3、r20和 r48分压供路，可调电阻rp3的电压调整范围为9. 51-10.73mv通过适当调节rp3的滑臂动位置，便能够得到基准
电压vref=100.0mv。c8和r29，r30组成基准电压输入端高频滤波电路。
q1、q2和rt、ri6组成测试端口过压保护电路。rt 为正温度系数的热敏电阻ptc，晶体三极管qi和q2的集电结分别短接后，又将两者反极性串联起来，利用其发射结的稳压原理，用于抑制测试端口不正常的情况下的高电压侵扰。例如，如果误用二极管档测量市电电压(ac220v)时，电流途经为rt--rl6-- q1--q2,q2此刻为正向导通，而ql则立刻反向击穿，起到了限幅保护作用。与此同时， r t因流过较大的电流而迅速发热,其电阻值将随体温升高而急剧增大， 由于限制了流过q1与q2的电流，从而保护了q1，q2的安全。
Power Integrations推出具有极低Qrr的汽车级Qspeed硅
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管，在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时，Qrr仅为14nC，该二极管可提高车载充电器PFC级的效率，可明显降低PFC MOSFET的温升。通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，可是并没有因为采用昂贵的技术而带来成本增加的缺点。 Power Integrations高级产品营销经理Edward Ong表示：“这些新型Qspeed二极管的Qrr是次优超快速硅二极管的一半，可实现非常高的系
六位半 Truevolt 数字万用表采用 Truevolt 专利技术，可以在一定程度上完成更高的测量精度以及更快的测量分析。该产品将会取代 34401A 型号。 附加的功能： 以前所未有的方式显示 DMM 结果 带有内置条形图、直方图、趋势、数学和统计数据的彩色图形显示 I/O：USB、LAN/LXI、GPIB(可选) 已启用 BenchVue。从您的 PC 控制您的数字万用表，以轻松查看和捕获您的数据。 以无可置疑的 Truevolt 信心做测量 11 种测量功能：DC/AC 电压、DC/AC 电流、2 线 线电阻、二极管、导通性、频率、周期、温度 基本精度：0.0035% DC，0.06% AC 1000 V 最大电压输入
电路 的功能 常用的二极管都有正向压降，不可以进行微小信号整流，而当信号幅度较大时，环境和温度若升高，整流电压又会跟着改变，很难构成高精度电路。 理想的二极管电路可获得过零的二极管特性，这种电路可用OP放大器的反馈电路实现。 电路工作原理 OP放大器A1为负输出的理想二极管电路，在输出端串接了二极管D1，并从D1的正极开始做反馈，对于正的输入信号来说，A1只起单纯的反相放大器作用。 负输入时，OP放大吕A1的输出摆到正，D1被断开，为了能够更好的保证其能在开环状态下工作和防止饱和，在输出还接了二极管D2。A1的正输出被二极管正向压降箝位。 OP放大器A2是放大倍数为1的反相放大器其作用是把A1的输出反相。如果采用单极输出，可
保护数据线路免于遭受ESD或雷击感应浪涌等瞬态现象的破坏 中国，北京，2013 年4月16日 - Littelfuse公司（电路保护领域的全球领先企业）今日宣布，推出了SR05系列瞬态抑制二极管阵列——SPA®二极管，该产品专门用于保护电信和工业设施免遭静电放电(ESD)和雷击导致的浪涌现象的破坏。 每个通道或输入/输出引脚均可安全吸收高达25A的反复性ESD冲击，且性能不会下降。 由于氧化层极薄且晶体管结点较浅，现代芯片组极易受到损坏。 由于具有极低的动态电阻和箝位电压，SR05系列装置能够保护当今的小型芯片组免受瞬态现象的损害。 凭借每个输入/输出端与地面之间极低的电容，该装置可提供强大的保护、保持信号的完整性，并防止数据在
1 引言 模块化结构提高了产品的密集性、安全性和可靠性，同时也可降低装置的生产所带来的成本，缩短新产品进入市场的周期，提升公司的市场竞争力。由于电路的联线已在模块内部完成，因此，缩短了元器件之间的连线，可实现优化布线和对称性结构的设计，使装置线路的寄生电感和电容参数大幅度的降低，有利于实现装置的高频化。此外，模块化结构与同容量分立器件结构相比，还具有体积小、重量轻、结构紧密相连、外接线简单、便于维护和安装等优点，因而大大缩小了装置的体积，降低装置的重量和成本，且模块的主电极端子、控制端子和辅助端子与铜底板之间具有2.5KV以上有效值的绝缘耐压，使之能与装置内各种模块共同安装在一个接地的散热器上，有利于装置体积的进一步缩小，简化装置的结构
FRED整流桥开关模块 /
1.用专门的仪器测量，简单明了，准确; 2.在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查激光二极管的好坏，但这种检测的新方法不能测量二极管的参数，测试前先万用表的转换开关拨到欧姆档的 RX1k 档位(注意别使用 RX1 档，以免电流过大烧坏激光二极管，再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。 正向特性测试 把万用表的黑表笔(表内正极)搭触二极管的正极，，红表笔(表内负极)搭触二极管的负极。若表针不摆到 0 值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为 0 值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不可以使用。 反向特性测试
PFC中二极管的新选择 在功率因数校正（PFC）电路中，600V升压二极管是关键元件，特别是工作在连续模式和苛刻开关条件下的PFC更是这样。在每一个开关周期，二极管的恢复电流流经MOS晶体管，这导致开关中高的开关通导功率损耗。对于这种应用，需要最快的600V二极管。 为了提高PFC的效率，通常的方法是把三个200V外延恢复二极管串联起来。这必须增加一个平衡网络（每一个二极管并联一个电容和一个电阻），以确保每一个二极管工作在其标称电压内。 ST Microelectronics企业来提供一个新颖的解决方案：两个300V二极管串联在一起封装在绝缘的TO-220封装中构成600V Tand
2009年2月18日，率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司，近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升总系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列，不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品，还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。 SiC肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源（SMPS）的有源功率因数校正（CC
电路与模拟电子技术基础 第4版 (查丽斌 主编，王宛苹 李自勤 刘建岚 编著)
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高速的挑战 – 传输链路的损耗和均衡作者：泰克科技中国AE Manager，余洋高速总线升级迭代的矛盾在于，花了钱的人性能的需求驱动着信号速 ...
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