5G、电动车等商机持续兴起，国际IDM大厂在当前产能供给吃紧的同时，产能大幅转向中高压金氧半场效晶体管（MOSFET）市场，使中低压MOSFET持续面临短缺。供应链预期，当前中低压MOSFET状况将可望延续到2022年。
据Yole 最新发布的的硅MOSFET报告，中国厂商占硅MOSFET销售额的38%。
10月23日，捷捷微电近日发布2021年第三季度报告，实现营业收入4.94亿元，同比增长74.25%；归属于上市公司股东的净利润1.49亿元，同比增长94.11%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.37亿元，同比增长88.11%。
捷捷微电在最新的投资者活动中表示，公司2021年三季报数据比较好的根本原因：从外部因素来看，国家对半导体行业持续的支持和关注；受新冠疫情影响，国外厂商产能不足或交期拉长，国产替代进口程度逐步的提升；IPO项目处在较好发挥边际效应的阶段；定增项目增厚存量业务产能利用率稳步提升；公司下游领域需求旺盛等。
关于公司产品的涨价情况，捷捷微电表示，在晶闸管方面，因部分原材料涨价等因素，今年3月份对产品价格作了调升，到三季度暂无涨价；在MOSFET方面，今年4月初对VDMOS、TRENCHMOS部分产品做了涨价，第三季度内，部分产品因上游产能受限等原因，价格上调了50%-60%；在防护器件方面，仅部分占比不大的ESD产品因之前外协封测涨价，已经提价3%到15%不等。
关于公司在手订单情况，捷捷微电称，公司现保持着较高的产能利用率，订单上半年就已经排到了年底。受疫情影响海外工厂的产能不足与交期延后的原因，以及下游需求端（包括进口替代）增长等因素的影响，就功率半导体产业而言，整个半导体产业的趋势应该是不错的，但是由于今年受到“双控”，整个行业上下游受到限电的影响，对于政策的维持的时间等存在一定的不确定因素，暂时无法估计对公司的影响。
另外，富鼎、尼克松及全宇昕等也大厂将持续搭上这波MOSFET缺货涨价商机，推动2021年全年营运创下新高，且订单有机会至少一路旺到2022年上半年。
5G、电动车市场持续成长，5G、电动车需要搭载大量电源管理IC，其中电动车需要负荷瞬间大电流，因此在MOSFET需要更加多数量的中高压MOSFET，IDM大厂为抢攻这波5G、电动车商机，早已将部分应用在消费性市场的中低压MOSFET产能移转至中高压市场，使中低压MOSFET供给短缺。
而且，IDM大厂在马来西亚的工厂先前又遭受到当地新型冠状病毒肺炎疫情影响，使产能全面降载，不仅中高压MOSFET供给不足，低压MOSFET缺货状况更严重，虽然目前产能逐步恢复，但供应链指出，IDM大厂为解决车用电子缺货荒，产能依旧没有移转回中低压MOSFET。
法人表示，进入第四季后，中低压MOSFET仍旧呈现缺货涨价格局，预期这波效应将一路延续到2022年，使MOSFET厂大中、杰力、富鼎、尼克松及全宇昕2021年营运将可望创下新高，2022年业绩可望持续冲高。
另外，富鼎、尼克松及全宇昕等也大厂将持续搭上这波MOSFET缺货涨价商机，推动2021年全年营运创下新高，且订单有机会至少一路旺到2022年上半年。
MOSFET于1980年左右问世，是一种可以普遍的使用在模拟电路与数字电路的场效应晶体管，用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化，起到开关或放大等作用。1990年左右沟槽结构MOSFET逐步研发成功。2008 年，英飞凌率先推出屏蔽栅功率MOSFET。现在市场主流的MOSFET大致上可以分为四大类：超结MOSFET、平面型MOSFET、屏蔽栅沟槽 MOSFET和沟槽型 MOSFET。
MOSFET是功率半导体的一种，在日常生活中，凡涉及发电、输电、变电、配电、用电、储电等环节的，均离不开功率半导体。功率半导体器件作为无法替代的基础性产品，大范围的应用于国民经济建设的各个领域。
功率半导体主要可大致分为功率器件和功率 IC。功率器件属于分立器件，可进一步分为二极管、晶体管、晶闸管等，其中二极管最重要的包含TVS二极管、肖特基二极管、整流二极管等，晶体管则最重要的包含 MOSFET、IGBT、双极性晶体管Bipolar（也叫三极管）等；功率IC属于集成电路中的模拟IC，可进一步分为AC/DC、DC/DC、电源管理IC、驱动IC等。
在这三种晶体管的市场之间的竞争格局方面，三极管的市场相对来说还是比较分散，因其价格低，在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求，但由于三极管存在功耗偏大等问题，在全球节能减排的大环境下，其市场规模总体趋于衰退，正在被MOSFET所取代。所以MOSFET和IGBT市场集中度较高。行业人士指出，MOSFET大约占据整个功率器件市场40%左右的份额。
那么MOSFET为何会占据如此大市场占比？诺芯半导体的负责人徐吉程告诉笔者，主要系MOSFET的结构决定的：首先，MOSFET器件是电压控制型器件，即由电压控制电流的大小，在应用中容易控制；其次，MOSFET工作频率高，相比于IGBT和三极管器件，更符合高频化发展的需求；再次，MOSFET是单一载流子导电（电子），而IGBT和三极管都是多子导电（电子和空穴），所以MOSFET不存在载流子复合效应，因此无电流拖尾等现象发生，更好用。