半导体产业协会（SIA）1 日公布，2017 年 3 月全球半导体销售额来到 309 亿美元，和前月相比，上扬 1.6%。和去年同期相比，飙涨 18.1%。今年第一季半导体销售额为 926 亿美元，年增 18.1%，但季减 0.4%。
SIA 总裁兼执行长 John Neuffer 声明稿指出，3 月全球半导体销售稳健成长，和去年同期相较，幅度激增；和上个月相较，则略为提高。半导体销售年增 18%，为 2010 年 10 月以来最高纪录，各主要市场的年增幅均达两位数。所有基本的产品也都出现年增，记忆体持续引领成长。
和去年同期相比，中国劲扬 26.7%；美洲提高 21.9%、亚太／别的地方攀升 11.9%、欧洲上扬 11.1%、日本走升 10.7%。
和前月相比，欧洲提升 5.0%、日本扬升 3.6%、亚太／别的地方走高 2.9%、中国攀扬 0.2%；不过美洲衰退 0.5%。
半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境和温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流
中国大陆被称为是“世界工厂”、拥有极强大的制造业，但相较于制造业的强大、中国半导体产业却弱得让人想哭，几乎大半要仰赖进口。也因此，为摆脱对台湾、美国、南韩制半导体的依赖，中国已动起来，计画藉由砸大钱并购打造半导体霸业。 日本媒体产经新闻5日报导，中国已展开行动，计画夺取半导体领域的霸权，根据Bloomberg的资料显示，在过去1年半来中国企业发表的大型并购案急增至5件、金额高达50亿美元，以期望藉由并购扩大规模、增加知识财产权，强化中国国内半导体产业，以摆脱对台美韩的依赖；据Bloomberg指出，在此(过去1年半)之前至1994年为止，中国企业发起的半导体相关并购案仅2件、金额5亿美元。 报导指出，中国半导体业者将和
从《中国可以说不》到《中国不高兴》，张小波坦言，十三年以来，一直在对中国命运进行着思考，或许我们也应当对最近半导体命运进行思考。 面对着百亿巨亏，上广电或许需要仔细考虑，对于国外的苛刻要求，应该是可以说不的。据悉，上广电一直都依赖NEC公司与日本材料供应商的关系，采购成本比较高。并且不仅是原材料与设备，包括技术、人材等方面，同样也由日方把控，这就造成了如今的尴尬局面，巨大投入却没有换来核心技术，仅有的利润也被日方摄取。 一直以来，由于中国市场的政府化指导，外资企业进入中国大多数也只有采用合资形式，这也是谈判中的一大优势。但如何把优势变为谈判中的决定性因素，似乎还是一个难题。从70年代起就开始大批引进国外先进
6月5日，TCL华星与三安半导体在深圳正式签约，宣布共同投资成立具有独立法人资格的联合实验室。注册资本人民币3亿元，TCL华星出资占注册资本的55%，三安半导体出资占注册资本的45%。 在今年3月3日，华星光电与三安半导体签订战略合作备忘录。据当时TCL动态微信消息，根据战略合作协议，双方将共同成立联合实验室，开展 Micro-LED显示技术端到端开发，重点解决其工程化技术中的关键难题，加速Micro-LED的试产与应用，实现从新型显示材料、工艺、设备、产线方案到自主知识产权的全面生态布局。 本次TCL华星官方消息显示，该联合实验室将利用TCL华星与三安半导体各自的显示及LED技术及资源优势，重点攻克Micro-
联合实验室正式签约 /
电子网消息，华虹半导体公布，2018年1月3日，公司拟向认购人国家集成电路产业投资基金股份有限公司(下文简称“国家集成电路”)发行约2.42亿股，约占经扩大后的已发行股份总数的18.94%。认购价每股12.90港元，较当日收市价每股15.84港元折让约18.56%；所得款项净额约4亿美元，公司拟用于拨付根据合营协议的条款为合营公司注资所需的资金。 同日，公司、华虹宏力、合营公司华虹半导体(无锡)有限公司、国家集成电路及无锡实体就认购协议订立合营协议，据此(这中间还包括)，公司、华虹宏力、国家集成电路及无锡实体以现金方式，分别向合营公司注资4亿美元、5.18亿美元、5.22亿美元及3.60亿美元。 根据合营协议，合营公司将从事集
为满足在产量、可靠度及性能方面等要求，先进制程对特用化学及新材料需求大增，对此，英特格(Entegris)副技术长Montray表示，象是在薄膜沉积(Deposition)、过滤器(Filter)和运送晶圆的晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod, FOUP)设计、要求都有所改变，促使半导体材料商的开发挑战也日渐增加。 Montray指出，过往28纳米以上的制程，在进行薄膜沉积时，多使用液体化学材料；然而，随着制程走到10纳米以下(如7、5、3纳米)，不仅所使用的材料越来越稀有，也从原本的液体化学材料转变成固体化学材料。也因此，对于材料商而言，要如何将固体化学材料气化，并且在芯片上呈现均匀的薄膜层，而不
中国，2015年4月7日 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、全球第一的MEMS制造商、全球消费性电子和移动装置MEMS器件领导供应商 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）与英特尔（Intel）携手合作进行感知计算计划（Perceptual Computing Initiatives）；意法半导体将为这一计划提供微型反射镜（micro-mirror）及控制器件。 除ASIC控制器件外，意法半导体还为感知计算计划提供一个尺寸精巧的微型MEMS反射镜。该产品每秒反转达数万次，反射红外光束扫描目标物体，并在物体表面绘制人眼看不见的坐标方格。3D成像和手
美国国家半导体公司日前推出一款据称是业界最高度集成的100V半桥式脉冲宽度调制(PWM)控制器。厂商只要采用这款控制器，便可将半桥式直流/直流转换器的体积缩至最小。 这款LM5035芯片是美国国家半导体LM5000高电压控制器系列的最新型号，其特点是除了内置电压模式的PWM控制器之外，还另外设有高端及低端的2A峰值电流门驱动器以及两个可设定的次级线圈同步整流器场效应晶体管(FET)驱动器。由于整流开关功能能通过设定加以控制，因此工程师能改善定时的准确性，以提高系统的功率转换效率。采用LM5035芯片的半桥式电源供应器适用于多种不同的电子系统，这中间还包括电信系统、数据通信设施以及功率密度及效率要求同样严格的工业控制系统。
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