稳压器

【48812】扩展升压稳压器输入、输出电压规模的级联 MOSFET

时间:2024-04-28 23:41:04 文章来源: 江南app平台下载

  。可是,典型升压稳压器操控电路的内部规划往往不允许直接驱动外接晶体管的基极或栅极。所以咱们用一种变通办法,行将高电压晶体管外接成级联办法。

  大多数升压稳压器都有峰值电流操控办法,以下降外接元件数目,然后减小转换器电路占用的整个印制电路板面积。图 1 显现了一款根据 TPS61040 升压操控器(IC1)的升压稳压器,它就使用了峰值电流操控。

  在 IC1的 VCC脚和电感 L1的一只脚上加上输入电压 VIN,使 IC1的内部MOSFET开关Q1导通,所以逐渐增加了从VIN经过 L1、Q1和内部电流检测电阻R1的电流量。当电路内部的操控器监测到检测电阻R1上的电压并到达一个预设的电流限值时,就关断Q1。

  流过L1电流的中止会升高电感上的电压,使二极管D1正偏,D1导通,为输出电容器C1充电至一个较高电压,这个电压高于独自的输入电压。输入电压、L1的电感以及经过 R1的预设峰值电流都会影响Q1的导通时刻、IC1的FB(反应)脚检测的输出电压,而且其外接元件决议了Q1的关断时刻。为坚持运转以及设定Q1的关断时刻,IC1的内部操控器有必要用Q1和R1监督经过L1的电流。

  当使用所需输出电压高于内部晶体管的击穿电压时,能够再接一个更高电压的MOSFETQ2(图 2)。为坚持电路经过 L1和 IC1的SW 脚的电流途径,要将外接晶体管接成级联办法,或选用共栅级结构。

  Q2由一个低导通电阻、低栅极电压阈值的MOSFET以及Q2栅-源极之间的二极管D2组成。为确保电路的正常运转,VCC(本例中为 5V)有必要超越Q2的栅极导通阈值电压。在作业时,IC1的内部操控电路使Q1导通,将Q2源极拉至地电位,5V左右的栅源电势使Q2导通。

  外接了Q2今后,电流流经电感L1、外接晶体管Q2、内部晶体管Q1和检测电阻R1,IC1的操控电路看上去没什么不同。当电感电流到达预设值时,Q1关断,Q2没有了源极电流的流转途径。Q2漏极电压快速上升到达所需输出电压与D1压降之和。跟着漏极电压的升高,Q2的漏-源电容会将 MOSFET 起浮的源电压拉至5V以上,然后使D2正偏,IC1的SW脚电压变成5V与一个二极管压降之和,并将Q2的源极箝位在相同的电压上。

  图中是一个升压转换器,它从9V电源(V+)为一个激光电路供给4mA 180V输出(V)的偏压。在本使用中,5V输入电源要求能供给满足的电流(一般在数毫安量级),驱动 IC的栅极。能够用一支降压电阻和齐纳二极管稳压器(图中未显现)从9V取得需求的5V电源。能够用一个公共电源驱动电感和IC额外击穿电压值的任何输出电压。其它元件则选用相应的额外电压,例如,电感L

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